HfOxNy的场发射特性

• 作者: 叶凡 段辉高 王晓明 蒋然 谢二庆
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HfOxNy 场发射 高压"锻炼"
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 208-210
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.053

摘要

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	段辉高	兰州大学物理科学与技术学院	4	3	1.0	1.0
3	叶凡	兰州大学物理科学与技术学院	6	21	2.0	4.0
4	王晓明	兰州大学物理科学与技术学院	5	4	1.0	1.0
5	蒋然	兰州大学物理科学与技术学院	4	15	1.0	3.0