Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取

• 作者: 刘军 孙玲玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族 HBT模型 冷偏 本征和外部结电容 本征集电极电阻 解析提取
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 874-880
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 4015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.021

摘要

对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.