恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究

• 作者: 刘宇 岳萍 张福学 毛旭
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 MEMS 湿法刻蚀 KOH 温度
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 41-43,46
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.12.011

摘要

采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si.在掩模层为SiO2时,研,究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系.结果表明:在110 ℃、30 %的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0 μm/min的刻蚀速率,Si(100): SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100): Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宇	北京信息工程学院传感技术研究中心	42	260	9.0	13.0
2	张福学	北京信息工程学院传感技术研究中心	123	623	13.0	17.0
3	毛旭	北京信息工程学院传感技术研究中心	10	75	6.0	8.0
4	岳萍	北京信息工程学院传感技术研究中心	3	11	2.0	3.0