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摘要:
介绍了一种细线条金属连线光刻技术.在溅射铝后,生长一薄层氮化硅薄膜作为减反层,利用氮化硅薄膜的光刻条件,涂覆薄胶可以保证刻出细线条,腐蚀薄层氮化硅保证线宽,同时在腐蚀铝过程中用氮化硅作掩蔽解决了薄胶问题.并在亚微米的抗辐射加固电路中成功应用.
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文献信息
篇名 金属连线光刻技术
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 线宽 薄胶 减反层
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目 大规模集成电路设计、制造与应用
研究方向 页码范围 14-15,19
页数 3页 分类号 TN4
字数 2246字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2007.02.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐冬 中国电子科技集团公司第四十七研究所 6 11 2.0 3.0
2 刘旸 中国电子科技集团公司第四十七研究所 7 3 1.0 1.0
传播情况
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2011(1)
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研究主题发展历程
节点文献
线宽
薄胶
减反层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
总下载数(次)
7
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