用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长

• 作者: 夏冬梅 王琦 王荣华 谢自力 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化 SiC 应变Si
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.004

摘要

用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.