Ka频段PHEMT 1W功率单片放大器

• 作者: 喻梦霞 徐军 李爱斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ka频段 功率放大器 MMIC PHEMT
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1513-1517
• 页数: 5页
• 分类号: TN773
• 字数: 762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.004

摘要

设计制作了Ka频段高输出功率的单片功率放大器.基于河北半导体研究所的0.25μm栅长的75mm GaAsPHEMT工艺制作的三级功率放大器,芯片尺寸为19.25mm2(3.5mm×5.5mm).在32.5～35.5GHz的频率范围内,小信号线性增益大于16dB,带内平均1dB增益压缩点输出功率为29.8dBm,最大饱和输出功率为31dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	电子科技大学物理电子学院	59	453	12.0	18.0
2	喻梦霞	电子科技大学物理电子学院	7	139	5.0	7.0
3	李爱斌	电子科技大学物理电子学院	1	14	1.0	1.0