MBE生长中波HgCdTe薄膜材料温度控制

• 作者: 唐利斌 姬荣斌 孔金丞 宋立媛 张筱丹 李艳辉 王善力 赵俊
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe MBE 红外测温仪 表面辐射
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 76-78,82
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 2265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.004

摘要

报道在品格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程.通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功率,从而把温度控制在需要的生长温度范围.通过此方法,可以把CdTe生长时样品的表面温度控制在±5℃,MCT生长时可以达到±1℃.生长得到的样品,表面光亮,组分、厚度均匀性好,X射线双晶回摆曲线半峰宽为72 arcsec.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐利斌		60	279	10.0	12.0
2	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
3	孔金丞		26	70	4.0	6.0
4	宋立媛		10	39	3.0	5.0
5	李艳辉		14	24	3.0	4.0
6	赵俊		19	57	4.0	6.0
7	王善力		5	16	3.0	4.0
8	张筱丹		5	14	2.0	3.0