掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善

• 作者: 史辰 吴楠 杨维明 陈建新
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掩埋金属 自对准 结面积利用率 金属-半导体接触
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 电子信息与控制工程
• 页码范围: 1048-1051
• 页数: 4页
• 分类号: TN323
• 字数: 1335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0037.2007.10.008

摘要

为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础上,掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建新	北京工业大学电子信息与控制工程学院	65	441	11.0	17.0
2	杨维明	北京工业大学电子信息与控制工程学院	14	46	4.0	6.0
3	史辰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	126	5.0	11.0
4	吴楠	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	2	1.0	1.0