干法刻蚀制作场发射阴极阵列

• 作者: 付绍军 周红军 尉伟 徐向东 王勇 裴元吉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射阵列 干法刻蚀 硅刻蚀 反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 218-221
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.03.010

摘要

利用离子束刻蚀(IBE)和反应离子刻蚀(RIE)等于法刻蚀方法来制造带栅极的场发射阴极阵列.本文描述了其制作的流程工艺,并对制作中的一些关键问题和技术进行了讨论.采用SF6作为反应气体的RIE用来制作硅尖,而用CF4+H2为反应气体的RIE用来清除SiO2,离子束刻蚀用来形成栅极.采用干法刻蚀,可以制造出栅极开口小的场发射阴极阵列.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	507	5142	33.0	48.0
2	裴元吉	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	60	343	10.0	15.0
3	尉伟	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	21	104	7.0	9.0
4	徐向东	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	74	701	15.0	21.0
5	付绍军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	69	435	12.0	15.0
6	周红军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	4	38	3.0	4.0