ZnO:V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

• 作者: 张丽亭 张伟风 张杨 魏凌
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 钒掺杂 光致发光 溶胶-凝胶法 薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 561-565
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3061字
• 语种: 中文

摘要

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO:V薄膜和纯ZnO薄膜.为进一步研究后退火对ZnO:V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800 ℃下进行了后退火处理.X 射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800 ℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好.扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高.光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO:V薄膜在800 ℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟风	河南大学物理与电子学院	66	248	8.0	10.0
2	魏凌	河南大学物理与电子学院	9	83	4.0	9.0
3	张杨	河南大学物理与电子学院	6	13	2.0	3.0
4	张丽亭	河南大学物理与电子学院	2	13	2.0	2.0