厚胶光刻蚀刻中的图形展宽分析与改善研究

• 作者: 侯西云 冀翔 刘晓旻 杨国光 田丰 陈滟
• 来源期刊: 光学仪器
• 学科: 物理学
• 关键词: 光刻 芽孢 反应离子束刻蚀 温度效应 二次效应
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 74-80
• 页数: 7页
• 分类号: O485
• 字数: 5635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5630.2007.06.017

摘要

为了刻蚀出低损耗波导沟道,对光刻和反应离子束蚀刻(RIE)中影响展宽的工艺条件进行理论分析和实验实践,提出采用多次旋涂、消除芽孢、低温后烘和刻蚀、光学稳定等措施减小展宽,并对不能完全消除的展宽分析给出原因.实验结果表明展宽得到有效的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨国光	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	91	1226	21.0	30.0
2	侯西云	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	26	426	11.0	20.0
3	刘晓旻	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	5	57	4.0	5.0
4	冀翔	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
5	陈滟	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	1	3	1.0	1.0
6	田丰	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	4	4	1.0	2.0