铜互连电迁移失效的研究与进展

• 作者: 刘彬 刘静 吴振宇 杨银堂 汪家友
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 电迁移 界面扩散 失效
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与技术
• 页码范围: 211-216
• 页数: 6页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 4355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.04.011

摘要

Cu/低k互连的电迁移失效与互连材料、工艺、结构和测试条件都有着密切的联系.论述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展,讨论了电迁移的基本原理、失效现象及其相关机制和微效应以及主导失效的机制--界面扩散等,同时探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,主要有铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理等方法,并指出了Cu互连电迁移可靠性研究有待解决的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子研究所	24	170	9.0	12.0
2	汪家友	西安电子科技大学微电子研究所	31	267	11.0	15.0
3	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
4	刘静	西安电子科技大学微电子研究所	45	707	16.0	26.0
5	刘彬	西安电子科技大学微电子研究所	4	24	1.0	4.0