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摘要:
在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60~2.60nm,晶粒大小为13~36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.
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文献信息
篇名 透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 透明导电CdIn2O4薄膜 结构 Seebeck效应 温差电动势率
年,卷(期) 2007,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 67-75
页数 9页 分类号 O484.4
字数 6258字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 付光宗 重庆大学应用物理系 7 51 4.0 7.0
2 杨丰帆 重庆大学应用物理系 6 25 3.0 4.0
4 方亮 重庆大学应用物理系 62 513 12.0 18.0
5 李明伟 重庆大学动力工程学院 50 363 10.0 16.0
6 张勇 重庆大学应用物理系 39 319 11.0 16.0
7 李丽 重庆大学应用物理系 27 426 12.0 20.0
8 喻江涛 重庆大学动力工程学院 10 93 6.0 9.0
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研究主题发展历程
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透明导电CdIn2O4薄膜
结构
Seebeck效应
温差电动势率
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
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