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透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应
透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应
作者:
付光宗
喻江涛
张勇
方亮
李丽
李明伟
杨丰帆
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
透明导电CdIn2O4薄膜
结构
Seebeck效应
温差电动势率
摘要:
在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60~2.60nm,晶粒大小为13~36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.
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文献信息
篇名
透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应
来源期刊
半导体学报
学科
物理学
关键词
透明导电CdIn2O4薄膜
结构
Seebeck效应
温差电动势率
年,卷(期)
2007,(z1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
67-75
页数
9页
分类号
O484.4
字数
6258字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.015
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
付光宗
重庆大学应用物理系
7
51
4.0
7.0
2
杨丰帆
重庆大学应用物理系
6
25
3.0
4.0
4
方亮
重庆大学应用物理系
62
513
12.0
18.0
5
李明伟
重庆大学动力工程学院
50
363
10.0
16.0
6
张勇
重庆大学应用物理系
39
319
11.0
16.0
7
李丽
重庆大学应用物理系
27
426
12.0
20.0
8
喻江涛
重庆大学动力工程学院
10
93
6.0
9.0
传播情况
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同被引文献
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1976(1)
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1977(1)
参考文献(1)
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1985(1)
参考文献(1)
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1987(1)
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1995(3)
参考文献(1)
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1997(3)
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二级参考文献(2)
1998(1)
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2000(1)
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参考文献(1)
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参考文献(2)
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2005(3)
参考文献(3)
二级参考文献(0)
2007(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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2008(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
透明导电CdIn2O4薄膜
结构
Seebeck效应
温差电动势率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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