富铅配料的PbI2晶体生长与性能表征

• 作者: 向安平 朱世富 朱兴华 赵北君 金应荣 魏昭荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PbI2晶体 生长工艺 XRD分析 IR透过率 禁带宽度 能谱特性
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 898-901
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.016

摘要

以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400～1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm,对应能隙为2.27eV.采用上述晶体制备的PbI2探测器在室温下对241Am 59.5keV γ射线敏感,能谱半高宽(FWHM)为26.7keV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	金应荣	西华大学材料科学与工程学院	59	141	5.0	7.0
3	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
4	向安平	成都信息工程学院光电技术系	48	146	7.0	9.0
5	朱兴华	成都信息工程学院光电技术系	32	98	6.0	7.0
6	魏昭荣	成都信息工程学院光电技术系	16	39	3.0	5.0