近红外区高透射率In2O3:W透明导电氧化物薄膜的研究

• 作者: 冯佳涵 张群 李桂锋 杨铭
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 近红外 高透射率 掺钨氧化铟 薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3480字
• 语种: 中文

摘要

采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)透明导电氧化物薄膜.薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差.与相同电阻率的ITO(In2O3:Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响.制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4 Ω·cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	李桂锋	复旦大学材料科学系	7	25	3.0	4.0
3	杨铭	复旦大学材料科学系	15	116	5.0	10.0
4	冯佳涵	复旦大学材料科学系	2	6	2.0	2.0