掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究

• 作者: 张瑞 张瑶 杨俊 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 单晶 掺杂 缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1988-1991
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.026

摘要

采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单品相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.x射线光电子能谱(XPS)测量结果表明.掺人的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙化置,形成了施主.利用光致发光谱(PL)测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关.这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得P型材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张瑞	中国科学院半导体研究所	62	318	11.0	14.0
2	杨俊	中国科学院半导体研究所	99	1556	22.0	36.0
3	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
4	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
5	张瑶	中国科学院半导体研究所	28	270	6.0	16.0