射频磁控溅射法制备Al2(WO4)3薄膜和负热膨胀性能研究

• 作者: 刘红飞 屈展 张志萍 程晓农
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al2(WO4)3 薄膜 磁控溅射 负热膨胀
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 252-255
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5|TB43
• 字数: 2598字
• 语种: 中文

摘要

采用WO3和Al2O3陶瓷靶材,以双靶交替射频磁控溅射法,在石英基片上沉积制备了Al2(WO4)3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了退火温度对Al2(WO4)3薄膜的相组成和表面形貌的影响,采用表面粗糙轮廓仪和划痕仪测量薄膜厚度,探索了薄膜的制备工艺以及薄膜与基片的结合力,采用高温X射线衍射和晶胞参数指标化软件,初步研究了薄膜热膨胀特性.实验结果表明:磁控溅射沉积制备的这种薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗粒增大,在950 ℃热处理10 min后得到Al2(WO4)3薄膜,薄膜与基片的结合力为13.6 N,薄膜物质热膨胀特性呈各向异性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程晓农	江苏大学材料科学与工程学院	344	2629	24.0	32.0
2	刘红飞	江苏大学材料科学与工程学院	20	152	7.0	11.0
3	张志萍	江苏大学材料科学与工程学院	17	105	6.0	9.0
4	屈展	江苏大学材料科学与工程学院	2	20	2.0	2.0