S掺杂CuInSe2:导致的体积变化对其禁带宽度的影响

• 作者: 何巨龙 姚若河 赵宇军 陈翔
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 CulnSe2 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1883-1888
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.007

摘要

运用第一性原理方法研究了CulnSe2和不同量的S掺杂CulnSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInse2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺杂浓度的增加而导致的CulnSeS化合物晶格体积减小对其禁带宽度的增加有重要的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学物理科学与技术学院	126	611	11.0	18.0
2	何巨龙	燕山大学材料科学与工程技术学院	19	83	6.0	8.0
3	赵宇军	华南理工大学物理科学与技术学院	6	18	3.0	4.0
4	陈翔	华南理工大学物理科学与技术学院	4	26	3.0	4.0