Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

• 作者: 刘刚 夏洋 海潮和 王立新 蔡小五 陆江
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 辐照 氧化物陷阱电荷 界面态电荷
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 927-930
• 页数: 4页
• 分类号: TN42
• 字数: 1810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.015

摘要

为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0
3	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
4	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
5	陆江	中国科学院微电子研究所	12	42	4.0	6.0
6	蔡小五	中国科学院微电子研究所	15	38	4.0	5.0