氧流量对ITO和ITO∶Zr薄膜性能的影响

• 作者: 吴建生 张波 王新建 董显平
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 锆 磁控溅射 氧流量
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2809字
• 语种: 中文

摘要

利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化.Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO∶Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度.氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO∶Zr薄膜具有更高的载流子浓度.一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差.通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波		2	12	2.0	2.0
2	董显平		7	38	3.0	6.0
3	王新建		2	10	2.0	2.0
4	吴建生		11	47	3.0	6.0