热处理温度对磁控溅射法制备YSZ电解质薄膜性能的影响

• 作者: 孙克宁 张乃庆 彭冰清 柳志民
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: SOFC YSZ 磁控溅射 热处理温度
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1656-1658,1661
• 页数: 4页
• 分类号: TM911.4
• 字数: 2964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.10.020

摘要

采用射频磁控溅射方法在NiO-YSZ阳极基底上制备了致密的YSZ电解质薄膜,主要研究了热处理温度对电解质薄膜性能的影响.试验发现随着热处理温度的提高,所制备的YSZ薄膜中晶粒结合更加致密,气孔率显著降低,薄膜与基底间的结合更加紧密.通过组装单体电池实际考察了薄膜的性能,发现随着热处理温度的提高,电池的开路电压及放电性能均有大幅度的提高.在800℃下,开路电压由0.82V提高到1.023V,已接近SOFC的理论电压;最大功率密度由480mW/cm2提高到760 mW/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙克宁	哈尔滨工业大学科学技术研究院理学中心	67	649	15.0	21.0
2	张乃庆	哈尔滨工业大学科学技术研究院理学中心	37	304	9.0	15.0
3	柳志民	哈尔滨工业大学理学院应用化学系	2	13	2.0	2.0
4	彭冰清	北京师范大学材料与工程系	3	10	2.0	3.0