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摘要:
建立了锁相环中电荷泵模型,对比无补偿和Cr补偿下电路的稳定裕度,提出了一种新的改善电荷泵稳定性的RcCc补偿方法,应用这种方法设计了一款高摆幅、低电流失配的电荷泵.电路采用HJTC 0.18 μm CMOS工艺实现,应用于3.5 GHz的锁相环频率综合器,电源电压1.8 V,输出电流100μ,输出电压0.4~1.4 V时,后仿的电流失配在1%以下,相位裕度达74°,版图面积130μm×80μm.
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文献信息
篇名 锁相环电荷泵稳定性研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 电荷泵 电流失配 稳定性补偿
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目 集成电路设计与开发
研究方向 页码范围 510-513
页数 4页 分类号 TN43
字数 2664字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.06.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶青 中国科学院微电子研究所 103 768 15.0 25.0
2 吴永俊 中国科学院微电子研究所 2 2 1.0 1.0
传播情况
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2008(0)
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研究主题发展历程
节点文献
电荷泵
电流失配
稳定性补偿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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