GaAs HEMT大信号模型的研究

• 作者: 王晓东 陈辉
• 来源期刊: 科学咨询
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 模型 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 科技视野
• 页码范围: 66
• 页数: 1页
• 分类号: TN91
• 语种: 中文

摘要

在微波功率器件中,GaAs HEMT的应用成熟.本文探讨了对GaAs HEMT大信号进行研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈辉	电子科技大学电子工程学院	7	24	3.0	4.0
2	王晓东		5	5	1.0	1.0