一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法

• 作者: 余志平 王燕 祃龙 鲁净
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 建模 参数提取 误差分析
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 567-572
• 页数: 6页
• 分类号: TN606
• 字数: 3572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.018

摘要

为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻Rlgs,Rlgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进,建立了19元件(20参数)的小信号等效电路拓扑结构.根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法,结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点.相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围,对器件品质和测量环境要求不高,有更强的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
3	鲁净	清华大学微电子学研究所	3	15	1.0	3.0
4	祃龙	清华大学微电子学研究所	4	34	3.0	4.0