砂轮粒径对300 mm Si片双面磨削影响的研究

• 作者: 冯泉林 库黎明 张国栋 盛方毓 索思卓 葛钟 闫志瑞 陈海滨
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 双面磨削 磨削印痕 局部平整度
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(晶圆生长及晶片制备技术)
• 页码范围: 289-291
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.12|TG58
• 字数: 2096字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.04.004

摘要

在直径300mmSi片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度.通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕和局部平整度,并分别进行了比较.结果表明,选择粒度更细的#3000砂轮能够有效地弱化Si片表面的磨削印痕,同时改善边缘局部平整度差的问题,从而提高Si磨削片表面的局部平整度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛钟		2	10	2.0	2.0
2	闫志瑞		11	30	2.0	5.0
3	库黎明		6	13	2.0	3.0
4	陈海滨		5	10	2.0	3.0
5	冯泉林		3	12	2.0	3.0
6	张国栋		1	8	1.0	1.0
7	盛方毓		1	8	1.0	1.0
8	索思卓		3	8	1.0	2.0