基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 姚建可 曾维强 贺洪波 邵建达
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 ITO透明导电膜 基底温度 直流磁控溅射
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 2031-2035
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2008.12.035

摘要

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9:1.运用分光光度计,四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析.计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质.实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200℃)能在保证薄膜85%以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值.薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	贺洪波	中国科学院上海光学精密机械研究所	48	491	16.0	19.0
3	曾维强	中国科学院上海光学精密机械研究所	1	28	1.0	1.0
4	姚建可	中国科学院上海光学精密机械研究所	3	52	3.0	3.0