第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响

• 作者: 于金 屠彦 李巧芬
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 MgO保护层 二次电子发射系数 空缺
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 597-603
• 页数: 7页
• 分类号: TN136
• 字数: 4483字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.06.04

摘要

基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化.通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级.本文计算了完整MgO以及含F、F~+、F~(2+)空缺的MgO晶体,得到不同能带结构和态密度分布,同时计算了相应的二次电子发射系数.结果表明空缺的形成,可有效提高二次电子发射系数,其中形成F空缺的MgO晶体的二次电子发射系数最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠彦	东南大学电子科学与工程学院	87	325	8.0	13.0
2	李巧芬	东南大学电子科学与工程学院	4	15	2.0	3.0
3	于金	东南大学材料科学与工程学院	26	368	12.0	18.0