功率电子模块及其封装技术

• 作者: 何洪 俞晓东 宋秀峰 曾俊 李冉 石志想
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功率电子模块 封装结构 封装技术
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 5-11
• 页数: 7页
• 分类号: TN453
• 字数: 6570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.11.002

摘要

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异.同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择,制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战.文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块(GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM)的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋秀峰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	16	266	10.0	16.0
2	何洪	南京航空航天大学材料科学与技术学院	15	278	10.0	15.0
3	李冉	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	52	2.0	4.0
4	石志想	南京航空航天大学材料科学与技术学院	5	64	4.0	5.0
5	曾俊	南京航空航天大学材料科学与技术学院	7	63	4.0	7.0
6	俞晓东	南京航空航天大学材料科学与技术学院	5	86	4.0	5.0