离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究

• 作者: 张东平 李红奕 梁广兴 汝丽丽 范平 蔡兴民 郑壮豪
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束溅射 CIS薄膜 衬底温度 退火温度
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 659-663
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.06.13

摘要

利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe_2(CIS)薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能.实验结果表明:使用离子束溅射沉积技术制备的CIS薄膜具有黄铜矿结构,在一定的条件下,适当温度的热处理可以制备结构紧密、颗粒均匀、致密性和结晶性良好的CIS薄膜,具有强烈的单一晶向生长现象.