硅靶低温射频磁控溅射沉积氧化硅薄膜的电击穿场强

• 作者: 蒋纯志 金桂 黄小益
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控射频反应溅射 表面形貌 电击穿场强
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 174-177,184
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2009.03.011

摘要

采用磁控射频溅射法制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分是氧化硅(SiOx);薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增加后减小,在400W左右时最大;薄膜的电击穿概率与衬底的选择有关,在单面抛光的单晶硅片与在不锈钢衬底上制备的氧化硅相比电击穿场强高且概率集中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金桂	湘南学院物电系	33	131	7.0	10.0
2	蒋纯志	湘南学院物电系	33	110	7.0	9.0
3	黄小益	湘南学院物电系	26	78	6.0	7.0