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Highly-charged Ions Irradiation Induced Surface Damage of 6H-SiC
Highly-charged Ions Irradiation Induced Surface Damage of 6H-SiC
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摘要：
推荐文章
直接烧结6H-SiC氧化机理的实验研究与分子动力学模拟
SiC
被动氧化
氧化机理
氧气扩散
分子动力学
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性
量子阱
碳化硅
固源分子束外延
反射高能电子衍射
光致发光
6H-SiC材料的氧化特性
6H-SiC
氧化特性
温度响应
二氧化硅
Ti掺杂6H-SiC电学性质研究
物理气相传输
Ti掺杂
6H-SiC
电阻率
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Highly-charged Ions Irradiation Induced Surface Damage of 6H-SiC | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 高电荷态离子 SiC 表面损伤 辐照诱导 第三代半导体材料 电子设备 材料特性 碳化硅 | ||
| 年，卷（期） | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb_2009,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 99-100 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | O562.5 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
高电荷态离子
SiC
表面损伤
辐照诱导
第三代半导体材料
电子设备
材料特性
碳化硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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语种：
出版文献量（篇）
1640
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