篇名 | Highly-charged Ions Irradiation Induced Surface Damage of 6H-SiC | ||
来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 | 学科 | 物理学 |
关键词 | 高电荷态离子 SiC 表面损伤 辐照诱导 第三代半导体材料 电子设备 材料特性 碳化硅 | ||
年,卷(期) | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb_2009,(1) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 99-100 | |
页数 | 2页 | 分类号 | O562.5 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |