基于高深宽比Si干法刻蚀参数优化

• 作者: 李以贵 陈少军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 平板功率 正交试验 深宽比
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术专辑
• 页码范围: 750-754
• 页数: 5页
• 分类号: TH706|TN305.7
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.12.009

摘要

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响.通过对Si于法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和保护气体C4F8的流量均为13 cm3·min-1,在一个周期内通入刻蚀气体SF6的时间为4 s,通入钝化气体C4F8的时间为3 s;线圈功率为400 W,平板功率为110 W.利用这组优化的工艺参数进行Si的干法刻蚀,所得到的微结构的深宽比将大于20:1,同时侧壁垂直度能够很好地控制在90°±1°.