一个8 GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路

• 作者: 刘新宇 刘果果 张辉 曾轩 王亮 袁婷婷 陈中子 陈晓娟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 内匹配 混合集成电路 功率放大器
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TN431
• 字数: 2826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.01.007

摘要

论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试.该电路包含了1个10×100 μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路.在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB.