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摘要:
为了探索SRAM型FPGA器件的总剂量效应测试方法及效应敏感参数,以XC2S100为实验样品,设计了两种配置电路,利用~(60)Co γ辐照装置进行了总剂量效应辐照实验.通过对实验结果的分析,给出了SRAM型FPGA器件配置存储器及块存储器的测试流程,并指出功耗电流是表征效应的最敏感参数.这些结果对建立SRAM型FPGA的考核方法及测试方法打下了坚实的基础.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 SRAM型FPGA总剂量效应实验研究
来源期刊 核技术 学科 工学
关键词 FPGA 辐照效应 总剂量效应
年,卷(期) 2009,(12) 所属期刊栏目 低能加速器技术、射线技术及应用
研究方向 页码范围 935-939
页数 5页 分类号 TN386.1
字数 3605字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-3219.2009.12.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何宝平 46 291 9.0 13.0
2 罗尹虹 54 199 8.0 10.0
3 张凤祁 40 169 8.0 10.0
4 郭红霞 81 385 10.0 13.0
5 姚志斌 35 171 8.0 10.0
6 张科营 23 111 7.0 8.0
7 王圆明 6 22 3.0 4.0
传播情况
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2016(1)
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研究主题发展历程
节点文献
FPGA
辐照效应
总剂量效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核技术
月刊
0253-3219
31-1342/TL
大16开
上海市800-204信箱
4-243
1978
chi
出版文献量(篇)
4560
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14
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