真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响

• 作者: 刘心宇 周秀娟 成钧 李海麒 江民红
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: ZAO 热处理工艺 真空退火 循环退火 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 417-419
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	224	1450	18.0	23.0
5	江民红	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	50	214	8.0	11.0
9	成钧	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	51	227	8.0	11.0
10	周秀娟	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	16	79	5.0	8.0
11	李海麒	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	3	35	3.0	3.0