SiC材料的低速率浅刻蚀工艺研究

• 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 刻蚀 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 440-443
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1901字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.04.20

摘要

对比研究了SiC材料在CF4+O2混合气体中的ICP刻蚀和RIE刻蚀,获得了刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度随刻蚀功率、偏置功率、工作真空、氧含量等工艺条件的变化规律,研究结果表明,通过牺牲一定的刻蚀速率可以获得原子量级的刻蚀表面粗糙度,能够满足SiC微波功率器件研制的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	70	432	11.0	17.0
4	柴常春	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0