在不同温度下退火制备多晶硅薄膜的研究

• 作者: 卢景霄 郑小燕 陈兰莉 靳瑞敏
• 来源期刊: 南阳理工学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD法 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 二次晶化 拉曼光谱 XRD
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术与自动控制
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4+2
• 字数: 2372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-5132.2009.03.001

摘要

通过PECVD法,用玻璃作衬底在30 ℃、350 ℃和450 ℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,在600 ℃和850 ℃下退火三个小时,把前后样品用拉曼光谱和XRD分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850 ℃下退火的薄膜比600 ℃下好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈兰莉		46	123	4.0	9.0
2	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	靳瑞敏		13	55	4.0	7.0
7	郑小燕		4	16	1.0	4.0