磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析

• 作者: 刘高斌 吴芳 周科 彭丽萍 方亮 杨小飞 马勇 黄秋柳
• 来源期刊: 重庆大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌薄膜 铟掺杂 磁控溅射 二氧化氮
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 页码范围: 1002-1005,1015
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24|TB43
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO:In)薄膜.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO:In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向.气敏研究结果表明ZnO:In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关.ZnO:In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO:In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马勇	重庆师范大学应用物理系	52	378	11.0	17.0
2	周科	重庆大学应用物理系	9	75	6.0	8.0
3	刘高斌	重庆大学应用物理系	37	310	12.0	15.0
4	方亮	重庆大学应用物理系	62	513	12.0	18.0
8	吴芳	重庆大学应用物理系	64	862	17.0	26.0
9	彭丽萍	重庆大学应用物理系	9	57	5.0	7.0
10	杨小飞	重庆大学应用物理系	5	32	3.0	5.0
11	黄秋柳	重庆大学应用物理系	7	36	4.0	6.0