VDMOS的虚拟栅结构

• 作者: 张方媛 李德昌
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 虚拟栅 VDMOS 击穿电压 Cras
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.05.009

摘要

文中设计了一个虚拟栅结构的VDMOS,该结构可以减小漏栅反馈电容Cras,使其接近于零.因此,对于相同的模块电压率,虚拟栅结构可以使MOS器件有一个更短的沟道,同时也因为有一个更大的栅漏交叠区域而使导通电阻减小.这样,器件跨导也可以提高.经过ISE仿真模拟,虚拟栅结构比原始分栅结构的击穿电压提高了近42%,而电流输出特性也更好更稳定.