反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究

• 作者: 徐文彬 王德苗
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氯氧化硅 氯氧比 C-V特性 栅介质
• 年，卷（期）: 2009,（20）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 11-12,16
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.20.004

摘要

在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN_2=1.0sccm,Qo_2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王德苗	浙江大学信电系	66	789	15.0	24.0
2	徐文彬	集美大学信息工程学院	10	21	3.0	4.0