磁控溅射法制备的不同浓度Cr掺杂ZnO薄膜磁性研究

• 作者: 吴晓国 李伟 王颖蕾 陈希明
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射法 ZnO薄膜 室温铁磁性
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 11-12
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2010.03.004

摘要

采用磁控溅射法在硅片上制备Cr掺杂ZnO薄膜材料,通过控制共溅时间来控制掺杂浓度.晶体结构分析表明所有样品均为ZnO纤锌矿结构,没有观测到其他杂相峰.Cr掺杂ZnO薄膜具有c轴择优取向.磁性测试结果表明,不同浓度Cr掺杂ZnO薄膜具有室温铁磁性.掺杂浓度1%薄膜磁性最强,室温饱和磁化强度为0.53 μB/Cr.随着掺杂浓度增大,样品磁性减弱,主要是由于掺杂浓度增大反铁磁交换作用增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈希明	天津理工大学电子信息工程学院	34	136	7.0	9.0
2	李伟	天津理工大学电子信息工程学院	13	15	2.0	3.0
3	王颖蕾	天津理工大学电子信息工程学院	2	1	1.0	1.0
4	吴晓国	天津理工大学电子信息工程学院	4	0	0.0	0.0