硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验

• 作者: 宁欣 康仁科 杜家熙 苏建修 陈锡渠
• 来源期刊: 超硬材料工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学抛光 材料去除 非均匀性
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TQ164
• 字数: 2391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1433.2010.05.001

摘要

化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术.CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标.文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据.为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	陈锡渠		40	108	6.0	9.0
3	杜家熙		31	156	8.0	12.0
4	苏建修		43	283	9.0	15.0
5	宁欣		61	136	6.0	9.0