利用Raman光谱测定硅(100)晶面单轴应变的应变系数

• 作者: 杨银堂 段宝兴
• 来源期刊: 中国科学(信息科学)
• 学科: 物理学
• 关键词: Raman光谱 应变硅 晶格振动
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 1033-1038
• 页数: 6页
• 分类号: O433.1
• 语种: 中文

摘要

建立了表征晶体硅应变量的晶格振动模型,首次计算获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-336.6cm-1;通过建立的利用Raman光谱测量晶体硅单轴应变量的实验装置,首次获得装置中螺钉旋进量与应变硅应变量的关系;利用波长648nm的Raman激光谱测量了螺钉旋进量为1.5mm时,Raman频移为0.47cm-1,获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-335.7cm-1.结果与晶格振动模型基本吻合,说明建立的利用Raman光谱频移法表征晶体硅应变量方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	段宝兴	西安电子科技大学微电子学院	14	52	4.0	5.0