掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响

• 作者: 刘晓为 宋明浩 揣荣岩 潘慧艳 王喜莲 霍明学
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅 纳米薄膜 压阻特性 隧道效应 应变系数
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1230-1235
• 页数: 6页
• 分类号: O738
• 字数: 5347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.015

摘要

为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.