磁控共溅射法制备Zn1-xCrxO薄膜及其结构性能

• 作者: 吴小国 朱珊珊 肖琦 陈希明
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控共溅射 Cr掺杂ZnO薄膜 制备 性能
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2123字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2010.01.007

摘要

本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜,通过改变Cr溅射功率,从而改变Cr的掺杂量.介绍了Zn1-xCrxO薄膜的制备方法,分别用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对不同Cr溅射功率的一系列薄膜的结构,成份、元素含量及价态等性能进行了分析.结果表明,Cr溅射功率为20 W的样品,具有最好的c轴择优取向,Cr以+3价形式掺入薄膜中,Cr3+替代了部分Zn2+.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈希明	天津理工大学电子信息工程学院	34	136	7.0	9.0
2	吴小国	天津理工大学电子信息工程学院	10	33	5.0	5.0
3	朱珊珊	天津理工大学电子信息工程学院	3	4	2.0	2.0
4	肖琦	天津理工大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0