溅射功率对磁控共溅射法制备的InTiZnO薄膜的影响

• 作者: Kim I.S. Lee W.J. Shin B.C. 刘国侠 单福凯 张倩 耿广州
• 来源期刊: 青岛大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: InTiZnO 共溅射 透过率 功率
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 物理与化学
• 页码范围: 25-29
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-1037.2013.05.06

摘要

采用射频磁控共溅射法,以In2O3和Zn2TiO4陶瓷靶为共溅射靶材,在玻璃衬底上制备了InTiZnO薄膜.在薄膜制备过程中,固定In2O3靶材的溅射功率,研究了Zn2TiO4靶材溅射功率对薄膜的沉积速率、结晶质量、表面形貌以及薄膜透过率的影响.发现随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜的沉积速率增加.随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜中In2O3的峰逐渐减小.当溅射功率为90 W时,In2O3峰消失,薄膜结构转变为非晶结构.薄膜的晶粒尺寸随着溅射功率的增大而减小,粗糙度随溅射功率的增大先增大后减小.InTiZnO薄膜在可见光区的透过率受溅射功率的影响变化不大,可见光范围内的透过率大于85％；在320 nm～410 nm波长附近薄膜透过率急剧下降,呈现了明显的紫外吸收边；薄膜的光学禁带宽度随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大而减小.