掺硼p型非晶硅薄膜的制备及光学性能的表征

• 作者: 刘俊 夏冬林 张兴良 王慧芳 石正忠
• 来源期刊: 影像科学与光化学
• 学科: 物理学
• 关键词: RF-等离子体增强化学气相沉积方法 非晶硅薄膜 折射率 消光系数 吸收系数 光学带隙
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 296-304
• 分类号: O484
• 字数: 3380字
• 语种: 中文

摘要

以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105 cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	31	262	10.0	15.0
2	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
3	石正忠	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	6	37	4.0	6.0
4	张兴良	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0
5	王慧芳	武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室	5	27	3.0	5.0