磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响

• 作者: 于军 徐玮 王晓晶 袁俊明 雷青松
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 陶瓷靶材 电阻率 透过率 ZnO:Al薄膜
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 256-259,262
• 分类号: O484.41
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研完了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能.结果表明:溅射功率为120 W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5 Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为88.21%、电阻率为8.28×10-4Ω·cm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	雷青松	华中科技大学电子科学与技术系	12	56	5.0	6.0
3	王晓晶	华中科技大学电子科学与技术系	14	109	5.0	10.0
5	徐玮	华中科技大学电子科学与技术系	9	35	4.0	5.0
8	袁俊明	华中科技大学电子科学与技术系	4	23	3.0	4.0