按比例缩小器件栅隧穿电流分析模型

• 作者: 吴铁峰 张鹤鸣
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 栅隧穿电流 氧化层厚度 双重积分 按比例缩小 静态特性 器件仿真 理论模型
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 569-573
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

为了揭示半导体器件的栅隧穿电流与氧化层厚度之间的关系和MOS器件的静态特性,提出了一个栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论计算模型.采用SiO2作为绝缘层介质并将晶体管尺寸按比例缩小,对于具有超薄氧化层的MOS器件,使用双重积分的方法构造计算模型,利用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细研究,定量分析了MOS器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下按比例缩小晶体管的特性变化趋势.利用BSIM4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合,为将来的电路设计提供了理论和实验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣		102	510	12.0	16.0
2	吴铁峰		8	23	3.0	4.0