0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系

• 作者: 刘佑宝 吴龙胜 唐威 耿增建
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 抗总剂量辐射 部分耗尽 俘获电荷 背沟道反型
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 1031-1036
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2010.08.007

摘要

研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因.通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响.模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佑宝		56	248	9.0	13.0
2	吴龙胜		50	120	6.0	8.0
3	唐威		25	90	6.0	8.0
4	耿增建		12	62	5.0	7.0